WEKO3
アイテム
歪みを導入した半導体のバンドスプリットと局在準位
https://doi.org/10.57375/00000858
https://doi.org/10.57375/00000858c72e3a4f-660c-4645-a730-bf87353a29db
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KJ00004437916.pdf (865.2 kB)
|
|
| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2009-04-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 歪みを導入した半導体のバンドスプリットと局在準位 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Strain-induced band splitting and localized states of semiconductor | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.57375/00000858 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
岸野, 正剛
× 岸野, 正剛× Kishino, Seigo |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Band splitting and localized states of diamond and silicon crystals are investigated with the use of the first principle calculation. In the diamond crystal a band splitting was observed for the band edge of both the conduction and the valence band. By the introduction of the large strain localized states were induced besides the band splitting. In the silicon crystal the width of a band split was dependent on the size and the direction of the strain. Namely, two kinds of the strain induced a different band splitting in the energy band. | |||||
| 書誌情報 |
福井工業大学研究紀要. 第一部 号 36, p. 25-32, 発行日 2006-03-18 |
|||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福井工業大学 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 2868571 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 識別子タイプ | NCID | |||||
| 関連識別子 | TF00009317 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
