WEKO3
アイテム
プラズマ中の活性粒子を用いた TiO_2 スパッタ膜の形成
https://doi.org/10.57375/00000430
https://doi.org/10.57375/0000043063ee5ed3-80a4-47ba-ba83-acf19a636359
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2009-04-04 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | プラズマ中の活性粒子を用いた TiO_2 スパッタ膜の形成 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | TiO_2 Sputtered Film Growth using Active particles in Plasma | |||||
言語 | en | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
ID登録 | ||||||
ID登録 | 10.57375/00000430 | |||||
ID登録タイプ | JaLC | |||||
著者 |
柴田, 明
× 柴田, 明× Shibata, Akira |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | In this paper we propose a simple method to ionize sputtered Ti and added oxygen gas, by inserting a heating probe into the plasma space. The effect of bias voltage applied to the heating probe on the crystalline structure and optical properties was investigated for the TiO_2 films deposited by reactive sputtering using this method. In the films deposited with the heating probe applying positive bias voltage to the substrate, the rutile phase was grown on the Si(111) substrate at a low temperature, and this film showed better optical properties than the films prepared without bias voltage. These changes in crystalline and optical properties were attributed to the ionization and acceleration of Ti and oxygen particles. | |||||
書誌情報 |
福井工業大学研究紀要. 第一部 号 33, p. 297-303, 発行日 2003-03-20 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 福井工業大学 | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 2868571 | |||||
書誌レコードID | ||||||
識別子タイプ | NCID | |||||
関連識別子 | TF00008889 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |