WEKO3
アイテム
プラズマ中の活性粒子を用いたTiO_2スパッタ膜の形成(II)
https://doi.org/10.57375/00000246
https://doi.org/10.57375/0000024665b6111d-5b92-41d0-b6a1-f520e6f0afdc
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00004259139.pdf (539.9 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2009-04-04 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | プラズマ中の活性粒子を用いたTiO_2スパッタ膜の形成(II) | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | TIO_2 Sputtered Film Growth using Active particles in Plasma (II) | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.57375/00000246 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
柴田, 明
× 柴田, 明× Shibata, Akira |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | In this paper we propose a simple method to ionize sputtered Ti and added oxygen gas by introducing He gas in reactive sputtering. Rutile (110) rich TiO_2 films were prepared at a low temperature by using this method. The optimum gas pressure ratio providing the richest rutile composition to deposited film was He: O_2: Ar=1: 0.42: 2.39 for a total gas pressure of 0.27 Pa. The rutile (110) phase was grown by the reaction between sputtered Ti and active oxygen species O_2^+, O^*. The former is generated by the penning ionization of oxygen molecules by He^*. The latter is produced from the decomposition process of O_2^+. This film indicated the greatest crystalline size and the highest refractive index. Furthermore, the film consists of the uniform crystalline sizes of 20～30 nm. | |||||
| 書誌情報 |
福井工業大学研究紀要. 第一部 号 34, p. 267-274, 発行日 2004-03-20 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福井工業大学 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 2868571 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 識別子タイプ | NCID | |||||
| 関連識別子 | TF00008705 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
