WEKO3
アイテム
半導体発光デバイスの放射線照射損傷
https://doi.org/10.57375/00001080
https://doi.org/10.57375/00001080c4ad0197-bc39-4912-9c9b-7286979eab7c
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00005074548.pdf (630.7 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2009-03-23 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 半導体発光デバイスの放射線照射損傷 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Radiation Damage in Semiconductor Light Emitting Devices | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.57375/00001080 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
權田, 俊一
× 權田, 俊一× 森田, 剛徳× 菅, 博文× Gonda, Shun-ichi× Morita, Takenori× Kan, Hirofumi |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | "Irradiation of particles such as protons and neutrons does various damages to light emitting devices. In semiconductor lasers, the most important effect is an increase in threshold current. This effect is characterized as the threshold current damage factor K_I. Dependence of K_I on incident particle energy and materials of active regions is discussed using non-ionizing energy loss (NIEL) and displacement energy. Furthermore, K_I is discussed taking account of a decrease in carrier lifetime due to non-radiative centers (defects) introduced by irradiation of particles." | |||||
| 書誌情報 |
福井工業大学研究紀要. 第一部 号 38, p. 305-312, 発行日 2008-05-31 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福井工業大学 | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 2868571 | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 識別子タイプ | NCID | |||||
| 関連識別子 | TF00009539 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
